AFT09MS031NR1 AFT09MS031GNR1
11
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
TYPICAL CHARACTERISTICS ? 760--860 MHz BROADBAND
REFERENCE CIRCUIT
750
Gps
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 12. Power Gain, CW Output Power and Drain
Efficiency versus Frequency at a Constant Input Power
14
17
16.5
30
66
63
57
40
35
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
ηD
G
ps
, POWER GAIN (dB)
16
15.5
15
14.5
770 790 810 830 850 870 890
60
P
out
,OUTPUT
POWER (WATTS)
VDD= 13.6 Vdc, Pin
=1W
IDQ
= 100 mA
Pout
750
Gps
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 13. Power Gain, CW Output Power and Drain
Efficiency versus Frequency at a Constant Input Power
14
17
16.5
27
66
64
60
37
32
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
ηD
G
ps
, POWER GAIN (dB)
16
15.5
15
14.5
770 790 810 830 850 870 890
62
P
out
,OUTPUT
POWER (WATTS)
VDD= 12.5 Vdc, Pin
=1W
IDQ
= 100 mA
Pout
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